全讯新2网站整合网络公司 English | 简体中文 |  联络我们  |  网站导览
 
关于全讯新2网站 代理产品 解决方案 最新动态 投资人专区
最新动态
  新闻稿
  活动讯息
  全讯新2网站电子报
订阅电子报
活动讯息 首页 > 最新动态
 
 
2019-03-27
ROHM推出SiC MOSFET新机型“SCT3xxxxxHR系列”支援汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

<概要>
 

半导体制造商ROHM(总公司:日本国京都市)针对车电充电器和DC/DC转换器※1)新推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支援汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),且产品系列丰富,拥有业界最多共13个机型。


ROHM于2010年领先全球成功量产了SiC MOSFET,在SiC功率元件领域,ROHM始终不断推动先端产品研发和构建量产体制。在需求不断扩大的车电市场,ROHM在早期就已经确立高品质车电产品基准,并于2012年开始供应用于车用充电器的SiC萧特基二极体(SBD)※4),2017年也开始供应车用充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。


此次新增加的10个机型是採用沟槽闸极结构※5)、并支援车电应用的SiC MOSFET,产品已于2018年12月开始以月产50万个的规模开始量产(样品价格:500~5,000日元/个,不含税。※具体价格因产品而异)。前段制程的制造据点为ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈),后段制程的制造据点为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

<背景>

近年来,随着环保意识的提高和燃油价格的飙升,电动车的市场需求不断增加。另一方面,虽然电动车(EV)日渐普及,然而续航距离短始终是急需解决的课题之一。为了延长续航距离,电池的容量呈现日益增加的趋势,同时还要求缩短充电时间。然而,要实现这些目标,就需要更高输出且更高效率的车用充电器(11kW、22kW等),因此业界採用SiC MOSFET的应用也越来越多。另外,以欧洲为中心,电池电压也呈现日渐增高趋势(800V),这时就需要更高耐压且更低损耗的功率元件。为了满足这些市场需求,ROHM一直在加强满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品系列,加上此次新增的产品,ROHM实施量产的SiC SBD和SiC MOSFET已达到34个机型,拥有领先业界的傲人产品阵容。在SiC MOSFET领域,拥有650V、1200V耐压的产品系列,可为客户提供先进的解决方案。

自创立以来,ROHM一直秉承“品质第一”的企业宗旨,採用从研发到制造全部在集团内进行的“垂直整合型”生产体系,在所有的流程中严格贯彻高品质的理念,并积极建立切实可靠的可追溯系统,努力实现供应链的最佳化。针对SiC功率元件产品,也建立了从晶圆到封装在集团内部生产的一条龙生产体制,消除了生产过程中的瓶颈,实现高品质和高可靠性。

<产品系列>

<ROHM SiC功率元件的开发历史>

<ROHM的优势:垂直整合生产体制>

<应用示意图>

<名词解释> 

*1)DC/DC转换器
将直流电压转换为工作所需的电源电压的转换器。
*2)汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元件制造商联手制定的汽车电子元件的可靠性标准。Q101是专门针对离散式半导体元件(电晶体、二极体等)所制定的标准。
*3)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的简称)
金属-氧化物-半导体场效电晶体,是FET中最常用的结构,使用于开关元件。
*4)萧特基二极体(Schottky Barrier Diode:SBD)
利用金属与和半导体接触形成萧特基接合面、从而获得整流性(二极体特性)的二极体。没有少数载子积蓄效应,具有优异的高速特性。
*5)沟槽闸极结构
沟槽(Trench)意为凹槽。是在晶片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET闸极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通阻抗。

【关于全讯新2网站】

全讯新2网站是臺湾领先业界的半导体零组件通路商,我们的使命是成为“技术领先的加值通路商”,持续不断地专注于“以客为尊”的服务理念,用最短的时间协助客户将新产品上市,并提供技术加值服务的整体解决方案。

返回列表

TOP